※ 引述《qwnba (LALA)》之铭言： : 请问一下 triple well nmos 与 一般的 nmos 特性上有什麽不同 : 应用在那方面？ : 谢谢 1.先说应用方面，用在有负电压输入/输出的元件，像Flash或是EERPOM这类的记忆体。 或是其他会使用到负电压的装置。 2.特性上差异在於只是在一般的p-substrate上多implant一个nwell， ex: p-well / n-well / p-strate 我们用反相器的电路来说明当我们需外加一负压时所遇到的状况。 下图只示意inverter的MOS部份。在剖面上，他们全都是位於一个p-strate上。 (请自行想像各有一个的PMOS, NMOS, Triple NMOS彼此排排坐， 并注意相邻p-n接面间的顺向或反向偏压问题) (1)使用Triple well制程 (Source,接Vcc) ╴︳ G 。╣─ (PMOS，G输入控制讯号) ▔︳ D (drain端是输出 ) ╴︳ G ╣==== 一条是给substrate接source;一条是nwell,接Vcc ▔︳ S ( source端灌负电压) 如果要在D端能得到一负电压，此时，我们可以直接用一个triple well的NMOS 从S端直接灌一个负电压进来。Source与Substrate之间不会有p-n junction forward bias的问题。 (2) 不用Triple well制程 如果不想用triple的制程，同样的情形，如果要在输出端也能得到一负电压， 那麽此时就必须插入一个pmos以防止从输出端与NMOS的Drain形成forward bias; 另一方面,，负电压则要透过一pmos-connected diode从别得地方进来。 两方比较,用triple well省了两颗transistor(这两颗电晶体可是HV的MOS，而且 也许是大size的，因为这个负电压可能有好几伏或是要去驱动下一级电路) 。 ﹁ == ｜ D(Drain, 接Vcc) ╴╴╴╴︳ ︳╴╴╴╴ (负压输入) ╴︳ G 。╣─ (PMOS，G端与NMOS的G端相连) ▔︳ ︳ 。 ﹁ ︳(输出端) == ｜ ︳╴╴╴╴︳ ︳╴╴╴╴ (负压输入) ╴︳ G1。╣─ (PMOS，G1输入控制讯号) ▔︳ ︳ ╴︳ G ╣ ﹁ (NMOS) ▔︳ S ( Source, 接地) ps.XD...图画的真辛苦。... -- 神呀...请您赐给我一个小罗莉吧(眼中发出亮光).... 最好是外表像神乐阪优奈，内心像蓓儿丹蒂，头脑有如成濑川奈留.... 当然，它还要有着月天的善良，夕维的可人，美夕的小恶魔... 也不要忘了，大川咏心的甜蜜，DIGIKO的可爱，CHOBITS让人想萌呀萌的... 此外对我一定要有知世般的爱情，无道纱罗般的坚定..... (罗莉是人生的正道，未来的希望...要爱她、珍惜她、推倒她!) --

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