嗯 ~~ 或许可以用比较白话的方式 想像一下 在两个不同参杂的区域中 重参杂的区域 => 电子或电洞的密度会比较高 而在轻参杂的区域 => 电子或电动的密度则自然比较低 若假设 今天从重参杂的区域 , 扩散电子或者电洞, 至轻参杂的区域去 那由於电洞电子的复合,造成电子或电洞的消失,而产生离子,即形成空乏区 那回到最先前讲的,由於参杂不依所以造成电洞电子密度的不同.所以可以想像 在低参杂的区域,由於其密度较低, 所以就必须花费更大的区域,与来自重参杂 区域的电子或电洞复合. 所以,在低参杂的区域,其空乏区就比较长罗. 以上,有误请指正 3q ~~~ ※ 引述《NBS (好累喔 ￾N￾ ￾ ￾ )》之铭言： : ※ 引述《armoni (徵说英文的同伴)》之铭言： : : 想请问一下p+-n junction中 : : 为何轻度参杂区的宽度比重度参杂区的宽度宽呢? : : 如果以p+和n型的接面来说 : : p+的离子空乏区宽度会小於n的离子空乏区 why? : : 因为直觉上 p+的电洞扩散梯度应该比n的电子扩散梯度来的强 : : 所以不是应该电洞扩散比较多吗 相对的 留下的受体离子应该会较多 : : 而造成p+区域的离子空乏宽度变的较宽 n区域的离子空乏宽度较窄 : 数学的解释可用Poisson's eq求得电位分布 : 然後积分得电场分布 : 利用边界条件 E(x=0+) = E(x=0-) 代入 : 可得 Na Wp = Nd Wn : 这个数学式代表热平衡时是电中性 : 物理现象的解释可从PN接面形成时的现象来思考 : 接面形成时 : P型区的电洞向N型区扩散 造成P型区留下带负电的受体离子 : N型区的电子向P型区扩散 造成N型区留下带正电的施体离子 : 此时空乏区内形成一个由正电荷指向负电荷的电场 : 这个电场将会抵抗中性区的多数载子继续扩散 : 当电场力和扩散力达成平衡时才到达热平衡状态 : 但是P+N情况的电洞扩散力远大於电子扩散力 : （两者浓度可能差了1e+5以上） : 因此P-type的空乏区宽度将远小於N-type的空乏区宽度 : 因为低掺杂区的空乏区较大 : 大部分的电位都落在空乏区中（因为空乏区中的移动载子趋於零 故电阻大） : 所以低掺杂的材料也比较能承受高电压 : 有错请指正 --

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