你可以从参杂浓度下去想会比较容易 假设参杂浓度高,则depletion region的宽度很窄, 进而barrier的宽度也很窄,而电子可以很容易的tunneling (depletion region widt正比於barreir width) 此时为ohmic contact 反之为Schottky contact 这样就不必再记谁的功函数要大於谁了 另外,掌握Fermi-level与Band Bending的技巧也应该会对你有帮助 只要把图画出来,这样就很容易明白了 ※ 引述《armoni (徵说英文的同伴)》之铭言： : schottky barrier 与 ohmic contact : 若对於 金属的功函数 > n-type半导体的功函数 : 或 金属的功函数 < p-type1半导体的功函数 : 则为schottky barrier : 反之若 金属的功函数 > p-type半导体的功函数 : 或 金属的功函数 < n-type半导体的功函数 : 则为 ohmic contact : 对於大於或小於 跟 p-type或 n-type的对应关系 死背的很辛苦 : 有什麽方式或原理是我疏忽掉了吗 : 可否指点解惑? --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 163.22.18.90 ※ 编辑: rummel 来自: 163.22.18.90 (01/11 13:53)