作者armoni (徵说英文的同伴)
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标题[问题] metal-semiconductio junction
时间Thu Jan 11 09:24:49 2007
schottky barrier 与 ohmic contact
若对於 金属的功函数 > n-type半导体的功函数
或 金属的功函数 < p-type1半导体的功函数
则为schottky barrier
反之若 金属的功函数 > p-type半导体的功函数
或 金属的功函数 < n-type半导体的功函数
则为 ohmic contact
对於大於或小於 跟 p-type或 n-type的对应关系 死背的很辛苦
有什麽方式或原理是我疏忽掉了吗
可否指点解惑?
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◆ From: 210.69.124.39
※ 编辑: armoni 来自: 210.69.124.39 (01/11 09:25)
※ 编辑: armoni 来自: 210.69.124.39 (01/11 09:26)
1F：推 mrjoker:其实可以由两者的定义来想像，Schottky barrier是一种接面 01/11 10:38
2F：→ mrjoker:能障，能障随reverse bias升高而升高，Ohmic contact则是 01/11 10:40
3F：→ mrjoker:一种线性接面，当bias reverse时原件仍会产生一线性逆向偏 01/11 10:41
4F：→ mrjoker:压电流，所以以此想像大致就可以描绘出位势图 01/11 10:42