在设计具有大电流之电路的时候, 电路间的走线线宽一直不太清楚要如何评估 麻烦有经验的版友指点一下 一般来说,Design Rule会告诉我们: 1um的线宽可承载1mA的直流电流 但我一直有一个疑问是 即使金属走线的宽度够宽,但进入某一颗电晶体後 其所有finger的金属宽度总和还是比走线的宽度小阿 那电晶体到底是会不会烧掉呢? 举例来说或许比较清楚 0.35制程中W/L=200/0.35是最大颗的NMOS 模拟上DC一定可以到100mA没问题 假设有一条路经具有100mA的DC电流 那根据design rule,金属走线宽度最好要100um 如果我在layout上用10个finger来画这颗NMOS 而p-cell叫出来的NMOS,其Drain或Source的金属宽度大概是0.7um 换句话说,100mA流进NMOS时看到的路径大约是5*0.7=3.5um ??? 那这样金属走线用100um有意义吗?电晶体不会烧掉吗? 我知道这样的观念应该是有点问题 但实在不知道要怎麽解释,也就无从评估金属走线宽度 希望知道的人帮忙解惑一下...谢谢~~~ --

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