作者oitwtn (忠诚 正义 天蠍座！！)
看板Electronics
标题Re: [问题] 请教Analog MOS的区域
时间Thu Jan 4 14:48:13 2007
通常MOS分作截止区,线性区,饱和区
上面三个区域大都有公式条件可判断出来
但又常听到强反转区,弱反转区,崩溃区
这些区域的条件又是如何的呢?
※ 引述《pow (体脂肪35%)》之铭言：
: ※ 引述《oitwtn (忠诚 正义 天蠍座！！)》之铭言：
: : 请教Analog MOS的区域
: : 在设计Analog电路时,很多电晶体几乎都要在Saturation region中
: : 若在CUT OFF REGION时,就没有电流
: : 但事实上当VGS<Vth、MOSFET无电流通过的叙述和现实有些微小的差异。
: : 在真实的状况下，因为载子的能量依循波兹曼分布（Boltzmann distribution）而有
: : 高低的差异。
: : 虽然当VGS<Vth的状况下，MOSFET的通道没有形成，但仍然有些具有较高能量的载子可以
: : 从半导体表面流至汲极。
: : 而若是VGS略高於0，但小於Vth的情况下，还会有一个称为「弱反转层」
: : （weak inversion layer）的区域
: : 在半导体表面出现，让更多载子流过。透过弱反转而从源极流至汲极的载子数量与VGS的
: : 大小之间呈指数的关系
: : ，这样的电流又称为次临限电流.
: : 问题来了,那我们设计时,用.OP看MOS在CUT OFF区,但有不小的电流
: : 那这MOS是否就是在weak inversion 区呢?
: : 如果是的话,在Analog电路中的mos对於weak inversion 区和饱和区工作有多大差异呢?
: : ps:我试过加大在weak inversion区的mos的电流,加大一点就会进饱和区了
: one word: LINEARITY
: Also some people use subthreshold biasing on MOS-bipolar to achieve very
: high Rout (10^12 ohm)
: Reid R. Harrison and Charles Cameron, "A low-power low-noise CMOS
: Amplifier for Neural Recording Applications", IEEE, JSSC, Vol. 38, No.
: 6, 958-965
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◆ From: 210.202.109.52
1F：推 pow:it's about the carrier (holes and electrons). google plz 01/04 22:47