※ 引述《oitwtn (忠诚 正义 天蠍座！！)》之铭言： : 请教Analog MOS的区域 : 在设计Analog电路时,很多电晶体几乎都要在Saturation region中 : 若在CUT OFF REGION时,就没有电流 : 但事实上当VGS<Vth、MOSFET无电流通过的叙述和现实有些微小的差异。 : 在真实的状况下，因为载子的能量依循波兹曼分布（Boltzmann distribution）而有 : 高低的差异。 : 虽然当VGS<Vth的状况下，MOSFET的通道没有形成，但仍然有些具有较高能量的载子可以 : 从半导体表面流至汲极。 : 而若是VGS略高於0，但小於Vth的情况下，还会有一个称为「弱反转层」 : （weak inversion layer）的区域 : 在半导体表面出现，让更多载子流过。透过弱反转而从源极流至汲极的载子数量与VGS的 : 大小之间呈指数的关系 : ，这样的电流又称为次临限电流. : 问题来了,那我们设计时,用.OP看MOS在CUT OFF区,但有不小的电流 : 那这MOS是否就是在weak inversion 区呢? : 如果是的话,在Analog电路中的mos对於weak inversion 区和饱和区工作有多大差异呢? : ps:我试过加大在weak inversion区的mos的电流,加大一点就会进饱和区了 one word: LINEARITY Also some people use subthreshold biasing on MOS-bipolar to achieve very high Rout (10^12 ohm) Reid R. Harrison and Charles Cameron, "A low-power low-noise CMOS Amplifier for Neural Recording Applications", IEEE, JSSC, Vol. 38, No. 6, 958-965 --

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