请教Analog MOS的区域 在设计Analog电路时,很多电晶体几乎都要在Saturation region中 若在CUT OFF REGION时,就没有电流 但事实上当VGS<Vth、MOSFET无电流通过的叙述和现实有些微小的差异。 在真实的状况下，因为载子的能量依循波兹曼分布（Boltzmann distribution）而有 高低的差异。 虽然当VGS<Vth的状况下，MOSFET的通道没有形成，但仍然有些具有较高能量的载子可以 从半导体表面流至汲极。 而若是VGS略高於0，但小於Vth的情况下，还会有一个称为「弱反转层」 （weak inversion layer）的区域 在半导体表面出现，让更多载子流过。透过弱反转而从源极流至汲极的载子数量与VGS的 大小之间呈指数的关系 ，这样的电流又称为次临限电流. 问题来了,那我们设计时,用.OP看MOS在CUT OFF区,但有不小的电流 那这MOS是否就是在weak inversion 区呢? 如果是的话,在Analog电路中的mos对於weak inversion 区和饱和区工作有多大差异呢? ps:我试过加大在weak inversion区的mos的电流,加大一点就会进饱和区了 -- 。 ╰─╯ 。 忘了有多久　再没听到你　对我说你最爱的故事 。◤ ◣。 我想了很久　我开始慌了　是不是我又做错了什麽 。 ˙﹏˙ 。 你哭着对我说　童话里都是骗人的　我不可能是你的王子 ◢◣ ◢◣ 也许你不会懂　从你说爱我以後　我的天空　星星都亮了 ╰▉\ 我愿变成童话里　你爱的那个天使　张开双手变成翅膀守护你 （▏`★ 你要相信　相信我们会像童话故事里　幸福和快乐是结局 --

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