作者Hopkins ()
看板Electronics
标题[请益] 请教一下....power mos transistor的layout....
时间Mon Dec 25 16:31:57 2006
power mos transistor
要怎样画才比较好....size大约是500/0.5
我想请教一下要怎样画才是比较正确的....
感谢....
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那种细细瘦瘦的女生
真是个遗传上的错误
你看她们生存的能力是不是比较低
虽然以外表让自己得到较高的繁殖机率
但很明显是失败的作品
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.116.178.210
1F：推 l1l1l1l1: Source Gate Drain 12/25 19:31
2F：→ l1l1l1l1: ○ oxide ○ metal ○ 12/25 19:31
3F：→ l1l1l1l1: ┌┴┐┌───┴───┐┌┴┐ 12/25 19:31
4F：→ l1l1l1l1:╭─┴┬┴┴┬─────┬┴┴┬┴─╮ 12/25 19:31
5F：→ l1l1l1l1:│ │ n+ │ channel │ n+ │ │ 12/25 19:31
6F：→ l1l1l1l1:│ ╰──╯ p-type ╰──╯ │ 12/25 19:31
7F：→ l1l1l1l1:│ substrateψfridayjason│ 12/25 19:31
8F：→ l1l1l1l1:╰─────────────────╯ 12/25 19:31
9F：推 paullai:楼上这是新版推娃吗? 蒐集 >////< 12/25 20:02
10F：推 paullai: └────────┴○Body 12/25 20:03
11F：推 paullai:(补body) 12/25 20:03
12F：推 l1l1l1l1: Source Gate Drain 12/25 21:46
13F：→ l1l1l1l1: ○ oxide ○ metal ○ 12/25 21:46
14F：→ l1l1l1l1: ┌┴┐┌───┴───┐┌┴┐ 12/25 21:46
15F：→ l1l1l1l1:╭─┴┬┴┴┬─────┬┴┴┬┴─╮ 12/25 21:46
16F：→ l1l1l1l1:│ │ n+ │ channel │ n+ │ │ 12/25 21:46
17F：→ l1l1l1l1:│ ╰──╯ p-type ╰──╯ │ 12/25 21:46
18F：→ l1l1l1l1:│ substrateψfridayjason│ 12/25 21:46
19F：→ l1l1l1l1:╰─────────────────╯ 12/25 21:46
20F：→ l1l1l1l1: └────────┴○Body 12/25 21:46
21F：推 cpt:"The Art of Analog Layout" 这本有讲喔, 值得参考! 12/26 01:01