※ 引述《daming (daming)》之铭言： : 因为本身对电子学没有深度了解 : 我想请问 当制程一个MOSFET 时 : 载子的mobility 和元件的 conductivity 有何关系 : 我在一篇材料相关paper读特殊的 ZnO 组成其 mobility最大 但 conductivity 却最小 : 就制程的角度来讲 到底是 mobility 越大越好 还是 conductivity 越大越好呢 : paper中也一直提到 on/off ratio 请问是那一种参数的比值呢??? : 文内有一句 .... mobility can be further improved without sacrificing the on/off : ratio ............ 请问 on/off ratio 和 mobility又有何关系呢 : 希望个位强者能帮忙解答 谢谢 半导体的conductivity正比於该材质电子电洞的mobility与concerntration 一般来说半导体的mobility与晶格的完美有关系 越完美的晶格其scattering越少而mobility越大 但是半导体材料的电子电洞concerntration并不大 需要加入杂质以增加其concerntration 但是加入杂质的话晶格的defect就相对增加了 使得mobility下降 是以半导体的导电度可以藉由参杂的浓度来控制 但过多或过少都会使得半导体的conductivity不够大 而在on/off current ratio方面 on current大的话可以使得元件的运作速度较快 （因为current大电容充放电速度较快） 而off current较小可以有效降低static state下的power consumption （尤其是对standard CMOS） 故一般元件都希望可以得到大的on current以及小的off current 但若是藉由增加dopant的量来提高on current 往往会有leakage cuurent (off current)也增加的情况 故利用mobility的提升来提高on current比较能避免off current也变大的情况 --

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