※ 引述《daming (daming)》之铭言： : 因为本身对电子学没有深度了解 : 我想请问 当制程一个MOSFET 时 : 载子的mobility 和元件的 conductivity 有何关系 : 我在一篇材料相关paper读特殊的 ZnO 组成其 mobility最大 但 conductivity 却最小 : 就制程的角度来讲 到底是 mobility 越大越好 还是 conductivity 越大越好呢 以MOSFET来说，channel需要high mobility，junction需要high conductivity. 这其中当然有很多学问，doping可以增加conductivity，但是在sub-um device 会使short-channel effect恶化；pocket/halo implant可以改善SCE，但又会降 低channel mobility。 作device engineering就是常常在这个loop里转来转去。 这篇paper的title/author可否告知？ : paper中也一直提到 on/off ratio 请问是那一种参数的比值呢??? Ion/Ioff ratio吧？ : 文内有一句 .... mobility can be further improved without sacrificing the on/off : ratio ............ 请问 on/off ratio 和 mobility又有何关系呢 : 希望个位强者能帮忙解答 谢谢 Mobility和Ion是正相关。 本来呢，Ion/Ioff ratio越大，传统上就代表logic device的gate controllability越好。不过在小尺寸元件上，这个index已经没多大意 义。Total power consumption and the logic performance at fixed power have lone become the main spec for GPU/MCU customers. --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 61.224.43.6