作者ohdam (Boring !!!)
看板Electronics
标题请问GaN LASER DIODE
时间Sun Dec 17 00:23:49 2006
不好意思,不是很有概念,故想请教一下
据我所知一般VCSEL的GaN laser是在MQW上下各夹DBR
造成microcavity效果而从侧面"发散"的激发出雷射
但是我们一般希望雷射是直线前进不是吗 请问这要如何应用呢!?
再请问 以侧面发散放光是叫 surface emitting light!?
那一般正向或背面发光的叫甚麽呢 !?
另外,DBR中间的共振腔和波长间有甚麽关系呢!?
最後想请问,上下都有DBR的结构金属要怎麽打线成元件呀 !!??
谢谢
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◆ From: 122.126.64.101
※ 编辑: ohdam 来自: 122.126.64.101 (12/17 00:24)