作者shun5134 (呼你顺顺顺)
看板Electronics
标题Re: [问题]准分子雷射
时间Fri Dec 8 00:11:11 2006
※ 引述《Rigid (阳光下的奇蹟)》之铭言：
: ※ 引述《flyskydou (remi)》之铭言：
: : 准分子雷射 对於CMOS的浅层接面的制程与原理
: : laser anneal(CMOS shallow junction)
: : 请解释详细 因为老师很机车XD
: 某些Excimer laser之频段能轻易地被silicon吸收
: 又excimer laser的发射时间十分短(nano second)
: 所以可以仅对CMOS的shallow jusction做加热动作
: （仅对表面很薄的一层加高温）
: 使得implant进去的dopant可以重新建结在silicon的crystal lattice上
: 而不会因为长时间的高温造成dopant的diffuse
: 是以可以形成shallow junction
还有可不可以麻烦再说明它的在高温退火时，有关的晶格排列的细节
例:晶格大小、再结晶、grain等等
谢谢
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