※ 引述《[email protected] ()》之铭言： : 这是一个小小的问题...希望大家能讨论看看 帮忙解惑 : 采用CMOS作法的NAND双输入 : 现在考虑两输入A,B其中一个改变 造成输出由1.8v -> 0v的情况 : 其中一颗nMOS会有body-effect(宽度为WA)...... 没有body-effect的为WB : 因为上面两个pMOS并联 下面两颗nMOS串联 : 重点就是...串联的那两颗nMOS....哪颗的W应该稍微大一点呢? : 这是老师问我的问题 困扰我很久 : 我想出了两个要点...可是答案跟老师的似乎不同(老师说WB要比较大) : 1.若 WA=1.2WB 也就是有body effect的宽度比较大 : 跟 WB=1.2WA : 这两种设计我发现让输出电容上的1.8v 放电到 0v的初始电流来说 : WA=1.2WB 的电流比较大...也就是 vin 50% -> vout 50% 的delay比较小 : 所以WA>WB有优点就是暂态时间短(做spice模拟也是如此) : 2.若 输出之前充电到1.8v 且 A=1.8v B从0上升到1.8v 使输出开始放电 : 则B点只要大於Vth就开始有电流....0.18um 的 vth大约是0.53左右 : 若 输出之前充电到1.8v 且 B=1.8v A从0上升到1.8v 使输出开始放电 : 则A点需要大於 Vth(with body effect) + V(source of MOS A)才开始有电流 : 所以A点的改变导致输出下降 这段经过的delay比较久 : 那不是应该要让MOS A的W/L稍微大才好吗? : 无论怎麽想...都应该是WA比较大阿??? : 让WB比较大有什麽好处或优点吗???想不太出来 希望神人能帮忙~XD Keyword: "Progressive Sizing" Key concept: It takes time for capacitance at every node to discharge While you increase the size of a transistor, you are increasing the parasitic, too. This "progressive sizing" concept is here to help you do the trade-off and optimize the performance. http://tinyurl.com/t96w4 ==> Starting from page.13 http://tinyurl.com/y3vmwn ==> Starting from page.18 I think you'll know a lot by reading the two references (front to back.) If you have any problem, please don't hesitate to ask! Enjoy! --

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