※ 引述《deathcustom (Schreier是大师)》之铭言： : ※ 引述《killer9619 (准新鲜人~什麽是大学勒?)》之铭言： : : 今天突然想到 如果我方法二 : : 在上端增加一条电阻R 和下方mos相当的电阻 : : Vdd : : ｜ : : ︴R : : input ─┼─Vf : : │ : : GND : : 是否可行 甚至达到节省成本之目的 : 这个电阻的加法应该是这样 : method 1: Vm = Vdd/2 : Id = Vdd/2R = kn'(W/L)(Vdd/2 - Vth)^2 (1+lambda*Vth)/2 : ^^^^^^^^^^^^I = I_0*(1+lambda(Vds-Vov)) : solve : R = Vdd/[kn'(W/L)(Vdd/2-Vth)^2(1+lambda*Vth)] : method 2: max NMH : first construct Vf-Vi function : Id = (Vdd - Vf)/R = 0.5*kn'(W/L)(Vi - Vth)^2 : (忽略channel length modulation) : Id = (Vdd - Vf)/R = kn'(W/L)[(Vi - Vth)Vf - 0.5Vf^2) : find dVf/dVi = -1 : 找最大的NMH...... : 不过～～～干嘛用这样的电路，这个电阻真要作大概就是做到2k~5k这麽大吧 : 再大～～～可能就XDDD 真的是.... 原po想的方法一点也没错, 这是很久以前的idea了 resistive-load inverter 但是这种做法通常不会用在现在的CMOS制程里 在discrete电路里比较适合 考虑电阻值的原因是 当你NMOS turn on时会有一个电流, 电流流过电阻後会产生一个跨压 所以当NMOS on时, Vout = Vdd-IR 你要Vout 够低, 就要去调整I或R 当NMOS off时, 就是断路, Vout 自然就是Vdd~~~ 楼上跟前一篇 算了那麽多, 真的不知道在讲什麽 与其照着书上算一堆, 还不如多跑几个模拟看behavior实际 至於为什麽用CMOS inverter 原因是N跟P的特性刚好相反, 所以一次只会turn on一个 NMOS on时PMOS就off, output只看到对地的一条通路, 反之亦然 优点是, steady state时没有Vdd到Gnd的通路, 所以不耗电 这跟resistive-load不同 因为NMOS on时会有Vdd到Gnd的通路, 就有DC耗电 这又跟我上面提到的要调I R 相呼应 为了要省电 I小R就要大, 在CMOS里制程里画大R不符经济效益 所以较适合用在discrete电路 报告完毕! 其他circuit的特性以後慢慢体会吧...:> --

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