这是一个小小的问题...希望大家能讨论看看 帮忙解惑 采用CMOS作法的NAND双输入 现在考虑两输入A,B其中一个改变 造成输出由1.8v -> 0v的情况 其中一颗nMOS会有body-effect(宽度为WA)...... 没有body-effect的为WB 因为上面两个pMOS并联 下面两颗nMOS串联 重点就是...串联的那两颗nMOS....哪颗的W应该稍微大一点呢? 这是老师问我的问题 困扰我很久 我想出了两个要点...可是答案跟老师的似乎不同(老师说WB要比较大) 1.若 WA=1.2WB 也就是有body effect的宽度比较大 跟 WB=1.2WA 这两种设计我发现让输出电容上的1.8v 放电到 0v的初始电流来说 WA=1.2WB 的电流比较大...也就是 vin 50% -> vout 50% 的delay比较小 所以WA>WB有优点就是暂态时间短(做spice模拟也是如此) 2.若 输出之前充电到1.8v 且 A=1.8v B从0上升到1.8v 使输出开始放电 则B点只要大於Vth就开始有电流....0.18um 的 vth大约是0.53左右 若 输出之前充电到1.8v 且 B=1.8v A从0上升到1.8v 使输出开始放电 则A点需要大於 Vth(with body effect) + V(source of MOS A)才开始有电流 所以A点的改变导致输出下降 这段经过的delay比较久 那不是应该要让MOS A的W/L稍微大才好吗? 无论怎麽想...都应该是WA比较大阿??? 让WB比较大有什麽好处或优点吗???想不太出来 希望神人能帮忙~XD -- 夫兵者不祥之器物或恶之故有道者不处君子居则贵左用兵则贵右兵者不祥之器非君子 之器不得已而用之恬淡为上胜而不美而美之者是乐杀人夫乐杀人者则不可得志於天下 矣吉事尚左凶事尚右偏将军居左上将军居右言以丧礼处之杀人之众以哀悲泣之战胜以 丧礼处之道常无名朴虽小天下莫能臣侯王若能守之万物将自宾天地相合以降甘露民莫 之令而自均始制有名名亦既有夫亦将知止知止可以不殆 pc150162.cn.nctu.edu.tw海