作者deathcustom (Schreier是大师)
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标题Re: [问题] 关於CMOS问题
时间Sun Nov 5 15:42:37 2006
※ 引述《killer9619 (准新鲜人~什麽是大学勒?)》之铭言：
: 今天突然想到 如果我方法二
: 在上端增加一条电阻R 和下方mos相当的电阻
: Vdd
: ｜
: ︴R
: input ─┼─Vf
: │
: GND
: 是否可行 甚至达到节省成本之目的
这个电阻的加法应该是这样
method 1: Vm = Vdd/2
Id = Vdd/2R = kn'(W/L)(Vdd/2 - Vth)^2 (1+lambda*Vth)/2
^^^^^^^^^^^^I = I_0*(1+lambda(Vds-Vov))
solve
R = Vdd/[kn'(W/L)(Vdd/2-Vth)^2(1+lambda*Vth)]
method 2: max NMH
first construct Vf-Vi function
Id = (Vdd - Vf)/R = 0.5*kn'(W/L)(Vi - Vth)^2
(忽略channel length modulation)
Id = (Vdd - Vf)/R = kn'(W/L)[(Vi - Vth)Vf - 0.5Vf^2)
find dVf/dVi = -1
找最大的NMH......
不过～～～干嘛用这样的电路，这个电阻真要作大概就是做到2k~5k这麽大吧
再大～～～可能就XDDD
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.135.83.97
1F：推 pow:原波的IDEA好像是八零年代的人已经用过了 11/06 08:04
2F：推 killer9619:.......我的思考好原始阿 11/06 22:24