※ 引述《killer9619 (准新鲜人~什麽是大学勒?)》之铭言： : 今天突然想到 如果我方法二 : 在上端增加一条电阻R 和下方mos相当的电阻 : Vdd : ｜ : ︴R : input ─┼─Vf : │ : GND : 是否可行 甚至达到节省成本之目的 当input为high的时候... 下方的mos导通...所以out为low没有问题... 不过当input为low的时候... 下方的mos不导通... 那照你的想法...上方的R跟下方的mos不导通时的阻抗相当... 那会变成什麽？ out只会有0.5VDD...因为电压被分掉了... 再来...假设你在上面放个电阻... 那当input为low的时候...你的Iout可以到多少？ 这个Ioh牵涉到fanout的问题... 另外... 上面加一条电阻... 你确定这条电阻在划layout的时候... 不会比这颗CMOS还要大？ 电流要大...阻值要大... 换句话说这条电阻要画的比较宽...比较长... 那应该会很大喔... -- ▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁ 国 立 联 合 大 学 (理工/电资/管理/技术/客家)院所 招生中 National United University ─────────────────────────────────── 首页 http://www.nuu.edu.tw BBS telnet://uun.twbbs.org --

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