作者killer9619 (准新鲜人~什麽是大学勒?)
看板Electronics
标题Re: [问题] 关於CMOS问题
时间Sun Nov 5 13:20:58 2006
今天突然想到 如果我方法二
在上端增加一条电阻R 和下方mos相当的电阻
Vdd
｜
︴R
input ─┼─Vf
│
GND
是否可行 甚至达到节省成本之目的
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 61.59.246.220
1F：推 digimaster:主动负载不是很好用吗？ 可以控制电阻值(理想值可以∞) 11/05 13:27
2F：推 SILee:可以 不过在IC里面 电阻经常会用MOS来做主动负载 所以.... 11/05 13:47
3F：→ SILee:唉呦 你不要管那麽多啦 老师要考的话 先背起来就是了 11/05 13:49
4F：→ SILee:没有读过电子学 有些东西是很难说明白的 11/05 13:49
5F：推 starsand:通常chip上的电阻都把mos设在tride区就口以了 11/06 03:54
6F：→ starsand:多想总是好事 11/06 03:55