作者tenshon (关心)
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标题Re: NMOS的 W/L 的问题 还有 一个Hspice呼叫制程 …
时间Sun Oct 15 16:06:35 2006
※ 引述《blair2 (小b)》之铭言:
: 现在假设有NMOS 要实作
: 那一般来说 在比值一样的情况下
: W/L 是
: 30u/10u 比较好?
: 还是
: 3u/1u 比较好?
在考量到晶片面积、寄生电容、功率损耗的问题下
一般而言做得小一点比较好
但是做得小也会有问题存在
如short channel effect、hot electron effect
所以单一MOS在已知宽长比的条件下究竟值要取多少
就看设计者能接受的范围在哪里
: 还有一个小问题
: 在 Hspice 呼叫 .35 制程时
: 就是打
: .lib "档名.l" TT 就可以了吗?
: 因为每次在 Simulate 後
: 都会看到.lis 的内容中 有一大堆
: .model nch.1 nmos (...........参数值....)
: .
: .
: .
: .model nch.2 nmos (...........参数值....)
: .
: .
: 一直到
: .
: .
: .model nch.49 nmos (...........参数值....)
: 这样是正常的吗
: 麻烦各位前辈了
正常 你呼叫了制程档
.lis自然会把你引用的model贴出来
如果不想在.lis看到这堆东西
可以这样写:
.protect ----> 加这行
.lib "档名.l" tt
.unprotect ----> and 这行
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.150.137
1F:推 blair2:非常的感谢你 ^^ 我懂了 10/15 16:33