作者Rigid (阳光下的奇蹟)
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标题Re: [请益] 关於MIM Cap 的介电材质
时间Wed Sep 20 22:43:46 2006
※ 引述《jaseper (谁肯给我钱赌王建民赢阿)》之铭言：
: 请问板上的大大 如果一份文件上写
: 他的MIM 介电材质是用 PECVD Oxide
: 这代表的是他的介电材质是什麽?
: 是Si3N4 还是 SiO2 还是其他的high-k的介电材质??
: 还有他的崩溃电压大概会是多少呢?? (30V or 更低?)
: 谢谢!!
silicon oxide deposited by plasma enhanced-chemical vapor deposition
the breakdown field will be lower than the silicon oxide grown
via thermal-chemical vapor deposition
and the breakdown voltage is equal to the breakdown field multiply
the thickness of pe-cvd oxide
--
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◆ From: 140.113.196.145
1F：推 jaseper:强者!! 09/22 01:16