作者elf326 (小小)
看板Electronics
标题[问题] 为什麽基底杂讯抑制PMOS比NMOS好
时间Mon Jul 31 01:46:48 2006
如题,是因为PMOS有N-WELL的关系吗? N-WELL是什麽效应让substrate noise隔离掉
是利用它有PN接面电容的机制吗?...这方面不怎熟悉 请教各位大大了.....谢谢^^
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◆ From: 218.172.251.199
1F：推 ihlin:因为PMOSFET是buried channel device,在先进制程则不一定 07/31 02:15
2F：推 hajiweon:为啥pmos是buried channel? channel不就在gate 下? 08/01 18:45
3F：→ hajiweon:不过pmos通常有N埋藏层阻隔基底跟channel是真的... 08/01 18:46