※ 引述《[email protected] ()》之铭言： > 转信站: KimoWebBBS!netnews.kimo.com.tw!news.csie.ncu!news.mgt.ncu!news.ncu!ctu- > Origin: sally.csie.ntu.edu.tw > ※ 引述《elf326 (小小)》之铭言： > : 想请问TSMC 0.18um制程,它里面所谓的RF model跟一般的model,它们之间的不同只是 > : 因为RF model在高频有比较高精准度的萃取参数(与一般相比的话)而已,还是他们之间有不 > : 同的架构,因为我看ADS RF model里面的NMOS他有注明是triple well PMOS是twin well.. > .18um的我有点忘了，不过.13um里面，baseband model就只是BSIM的model, > RF model 则是将parasitic element和BSIM model包在一起变成一个transistor model, Well 并不是一个RLC的结构，PNPN也不是一个transistor！ > RF model 还会把BSIM model里的部份参数disable掉，然後再用TSMC的公式加回去。 > 我记得.18也是类似的做法 怪不得不会动，真是怪怪！ > : 还有RF moedl的MOS可以跟一般的MOS作在一起吗?只是要在LAYOUT上画法不同(例如: > : triple well 之类的)..........谢谢各位前辈!! > 是 原本的BSIM就不会动，disable掉变成大补贴！ 对应的LAYOUT没有disable的功能，只好划线做做 -- ※ Origin: 奇摩 大摩域 <http://bbs.kimo.com.tw/> ◆ From: 59.121.147.14