作者elf326 (小小)
看板Electronics
标题[问题] 请问TSMC 0.18um制程的问题
时间Tue Jun 20 18:01:41 2006
想请问TSMC 0.18um制程,它里面所谓的RF model跟一般的model,它们之间的不同只是
因为RF model在高频有比较高精准度的萃取参数(与一般相比的话)而已,还是他们之间有不
同的架构,因为我看ADS RF model里面的NMOS他有注明是triple well PMOS是twin well..
还有RF moedl的MOS可以跟一般的MOS作在一起吗?只是要在LAYOUT上画法不同(例如:
triple well 之类的)..........谢谢各位前辈!!
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◆ From: 210.60.67.79
1F：推 obov:可以一起 06/20 18:14