> 版本一： > ╴╴╴ Vdd > ︱ > ︱ > ︳—— > 。——︳———— M2 Bulk(Gnd) > ︳—→ > ︱ > ︱ > ︱ > ︳—— > 。——︳———— M1 Bulk(Gnd) > ︳—→ > ︱ > ︱ > ￣ ￣ Gnd > 感觉板上的高手是这个说法!! Layout时，M1的Source往下打Via与Bulk(Gnd)相接， > M2的Source接到M1的Drain，M2的Bulk即Gnd，所以，接到Gnd Pad的有：M1Bulk与Source > 、M2Bulk。我觉得这个版本就是电子学教的，Bulk(Body)只有一个，以NMOS来说，Bulk就 > 是接地，所以M2有基体效应。 > 但我有个问题是NMOS的Layout，感觉上每颗NMOS都有自己的Bulk呀，滥问题还是请帮 > 忙回答一下!!~ > 版本二：我的做法 > ╴╴╴ Vdd > ︱ > ︱ > ︳—— > 。——︳———︱ M2 Bulk与Source相接 > ︳—→–︱ > ︱ > ︱ > ︱ > ︳—— > 。——︳———︱ M1 Bulk与Source相接 > ︳—→–︱ > ︱ > ︱ > ￣ ￣ Gnd > 首先，听同学说TSMC 0.18um RF制程，NMOS的Source与Bulk是可以相接的。Lauout时 > ，M1的Source(Metal 3)往下打Via到Bulk(Gnd)，M2的Source(Metal 3)去接M1的Drain同时 > 往下打Via到Bulk，所以!!!真正接到Gnd Pad的只有M1的Source和Bulk。M2孤立，自己 > Source与Bulk相接。 > 感觉上我这个版本好像每颗NMOS都有自己的Bulk，全部都是Bulk与Source相接， > 只有接地的NMOS才拉到Gnd Pad。但感觉上好像不像电子学教的那样，到底发生什麽问 > 题了? > 结论到底是哪个对咧??还是都对呢?? 感谢大家的回答!!!! 首先看你模拟的时候是怎样 版本一M2有bodyeffect 版本二M2没有 你模拟的时候用版本一就画一 用版本二就画二 你的东西感觉上像一个buffer 建议你全部的body都接到GND 以免往後遭受latch-up的困扰(如果你有其他的PMOS) 不然你的NMOS及PMOS间要隔的够远 你的MOS应该用PDK的吧 不建议自己画 这样模拟的参数才会跟TSMC比较准 他已经把double guard ring, triple Nwell等等已经划好了 而且contact via都已经打好了 纯粹只要牵线 照着它上面给出来的的metal拉就好 稍微注意一下寄生电容等等的 metal能不跨就尽量不要跨 要跨的话也至少跳个两三层 -- □ 本文章由 davidsu 从 163.30.165.94 发表