作者serve (serve)
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标题Re: [问题] 请问TFT与MOS在结构上的差异为何??
时间Mon May 1 00:04:40 2006
※ 引述《Poko (老皮)》之铭言：
: ※ 引述《Poko》之铭言：
: : 我感觉是TFT与MOS的制程都一样啊
: : 实在不知道两者在结构上有何不同
: : 请大大帮忙解答一下 谢谢
: 那有没有人可以提供一下结构是哪边不同呢
: 因为我找了很久 加上没有什麽概念
: 重点是急着要 希望好心人可以告诉我答案或是哪边可以找到答案
: 我只是要结构上的差异就好了 拜托
你想要问的应该是TFT和MOSFET结构的不同点吧
简单的说
MOSFET是top gate
TFT则是top和bottom gate都可
但是a-Si:H TFT通常是用bottom gate
成长时一次长完gate dielectric (ex:SiNx)和channel
这样介面特性较好
poly TFT则是先长channel
gate定义好再用ion implant做source和drain的self align
所以MOSFET和poly TFT应该是比较像的
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1月03日﹝木星‧皇后﹞
代表人物： 梅尔吉勃逊
精力旺盛，意志坚定，做任何事都会坚持到底；不轻易妥协，会千方百计说服别人依
照他的方式做事，给别人很大的压力。
优点是负责尽职，重承诺，守信用；不喜道人长知，值得信赖。
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