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标 题Re: [问题] 请教 medici 如何模拟电子trap在SONOSꨠ…
发信站交大资科_BBS (Tue Apr 25 23:38:04 2006)
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==> 在 [email protected] (转吧SILVACO) 的文章中提到:
> ※ 引述《Floatcross (小天使落跑了!!??)》之铭言：
> : 各位前辈好
> : 我已经用tsuprem4 画好SONOS结构了
> : 现在想要模拟电子trap在nitride的特定位置特定电子量
> : 无奈试了很久都失败了
> : 请教哪位前辈有模拟过类似的结构经验呢?
> : 我说明我的作法
> : 我已经撰写好medici id-vg 程式了
> : 所以我在其中加入一段trap语法
> : 让原本没TRAP的nitride trap住电荷
> : 语法如下
> : TRAP Q.FIX=1E18 COND="(@REGION=NITRIDE)&(@X>0.3)&(@X<0.5)"
> : 无奈不管如何排列组合，新增其他参数
> : vth均没有改变
> : 请问谁愿意提供我意见呢?
> : 感谢感谢
> 这个应该是要设interface defect吧
> 你有把FN tunneling 的model打开吗
ssuprem4 和 ise tcad比
有那些差
外面有讨论 ssuprem书 但好像没使用 tcad跑的书
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* Origin: ★ 交通大学资讯科学系 BBS ★ <bbs.cis.nctu.edu.tw: 140.113.23.3>
1F：推 CharlesLin:外面的卖的书都讲太基本没啥用,直接k manual比较实际点 04/29 21:14
2F：推 turco:ssuprem4是process simulator ise是device simulator 04/30 15:45