作者turco (转吧SILVACO)
看板Electronics
标题Re: [问题] 请教 medici 如何模拟电子trap在SONOSꨠ…
时间Fri Apr 21 16:18:17 2006
※ 引述《Floatcross (小天使落跑了!!??)》之铭言：
: 各位前辈好
: 我已经用tsuprem4 画好SONOS结构了
: 现在想要模拟电子trap在nitride的特定位置特定电子量
: 无奈试了很久都失败了
: 请教哪位前辈有模拟过类似的结构经验呢?
: 我说明我的作法
: 我已经撰写好medici id-vg 程式了
: 所以我在其中加入一段trap语法
: 让原本没TRAP的nitride trap住电荷
: 语法如下
: TRAP Q.FIX=1E18 COND="(@REGION=NITRIDE)&(@X>0.3)&(@X<0.5)"
: 无奈不管如何排列组合，新增其他参数
: vth均没有改变
: 请问谁愿意提供我意见呢?
: 感谢感谢
这个应该是要设interface defect吧
你有把FN tunneling 的model打开吗
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