※ 引述《ONITSUKA (你管别人怎麽想)》之铭言： : ※ 引述《austinlee (jackrabbit)》之铭言： : : .tran VDD ramp, ramp时间拉久一点 : : check每一点的电压是不是你要的 : : 然後要注意start up电路在电压建立之後是否会关掉 : : 基本上跑什麽电路一定都要跑个暂态再check一次! : 请问vdd ramp拉多久算是real case呢? : 我现在让他爬100us在某些温度和corner电位都拉不起来.. : 是因为100us是个不合理的数字吗? : 谢谢啦~ real case喔, milisec都有可能 端看你IC里power部份的design好不好~ corner+高温本来device特性就有差 所以你的设计要能cover这些才行(谁知道IC做出来是怎样....) 你再调一下device的size会好拉一点 我不知道你的架构 不过start-up的概念就是要在所有电压都不确定的时候 有一条通路是有电流在流的, 然後能依此建立出某一个电位 建立的方法也许是IR, 也许是diode connected 之後就是一个接一个node建立电位, 再靠着feedback loop把位准拉住 你debug的时候可以从这个方向check起 另外 .tran的time step也会影响你的模拟结果~ 选个适当的值会既省时又正确 你可以试试不同的大小 good luck~ --

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