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标 题Re: [问题] 许多电子相关小问题
发信站清华资讯(枫桥驿站) (Fri Apr 7 07:15:14 2006)
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※ 引述《[email protected] (水精灵)》之铭言:
> > 问题1:为何线宽越小时,很多金属都不能用?
> > 为何早期是用铝线作电路板,现在去用铜线作电路板,原因何在?
> 考虑到electronic migration,像铝线,同样线宽,上面流过大电流的导线,
> 铝导线就容易因为电子的堆积而使线路断路. 另外,
electromigration并非主要原因吧!!
可以透过与的搭配或使用铝矽铜合金,这些都可以减少electromigration
使用铜的最主要原因是铜的电阻比较低,电路的RC lelay可以更低,速度更快
> > 问题2:电浆是否第四态?
> > 存在地点?
> > 生活中是否可见到?
> 1. 电浆(plasma),就是所谓的第4态,也就是所谓的等离子态
> (等离子是物质四态的其中之一 (固态, 液态, 气态, 等离子[电浆态]),是由带正电荷
> 和带负电荷的离子所组成的流体.只要输入的能量足够,原本为电中性的气体会分离成为
> 各带有正负电荷的离子和电子)
日光灯就是个应用...
> 2.一般存在地点,像高空的闪电,
> 3.路旁的高压变电电线杆,周围的空气因高压而游离
> > 问题3:传统开关和半导体制成的开关有何差别?
> 差异在接点上的杂讯.传统的因为是金属璜片的接触,接点容易产生火花,进而
> 产生杂讯,容易影响周围的电路,也容易有磨损的现象发生,造成元件失效
> 半导体制作的开关则无上述的问题
> > 问题4: C=εA/d (电容公式)中的ε大有何好处?
> > C大有什麽好处?
> > 半导体里作高k材料有什好处?
> 1.High-k 材料可以降低MOS的闸极漏电流(gate current leakage),尤其制程
> 越来越小时.对於记忆体元件而言,high-k表示可以储存更多的电荷(电容量大)
> > 问题5:有哪些半导体材料或电路需要高电容值?
> 承上.另外像感测器,也是
F/E的device是往High K走...
因为gate length越缩越小...gate对通道的控制能力会越小
所以gate ox厚度需缩小,使MOS电容变大
使用High K的好处是,同样的厚度可以有更大的电容
另外B/E的导线却是相反,需往Low K走
当然是要让导线与导线间的电容变小罗
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