作者sovereignty ()
看板Electronics
标题Re: [问题]为何BJT的ε比 MOS的ε 大5倍左右?
时间Mon Jan 9 03:51:34 2006
※ 引述《deathcustom (每天都是七彩缤纷)》之铭言：
: ※ 引述《cj6gji (胡说)》之铭言：
: : as title~
: : 小弟刚学电子学
: : 其实也学一学期了~~
: : 可是听到朋友说这个问题
: : 自己也不了解~
: : 希望好心人帮忙解答一下~~
: : --------------------补充一下------------------------
: : MOS的 εox =3.9ε0 =3.9x8.854x10^-12 F/m
: : 而BJT又比它大约5倍~~
: 不是吧
: MOS的是 ε(SiO2) = 11.5 ε0
: 至於BJT......抱歉我跟她不是很熟Orz
: 去看Sze吧
: 或者其他固态电子学、固态物理的书吧
εr (relative permittivity，相对导电系数) 是常数啊，
同一种物质的εr是固定的，
没有什麽 5 倍的说法吧，
很可能你要问的不是这个。
3.9 是 SiO2 (oxide) 的介电常数
11.9 (或11.5，不同书的不太一样) 是 Si 的介电常数
这都是定值。
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