作者deathcustom (每天都是七彩缤纷)
看板Electronics
标题Re: [问题]为何BJT的ε比 MOS的ε 大5倍左右?
时间Mon Jan 9 00:29:52 2006
※ 引述《cj6gji (胡说)》之铭言：
: as title~
: 小弟刚学电子学
: 其实也学一学期了~~
: 可是听到朋友说这个问题
: 自己也不了解~
: 希望好心人帮忙解答一下~~
: --------------------补充一下------------------------
: MOS的 εox =3.9ε0 =3.9x8.854x10^-12 F/m
: 而BJT又比它大约5倍~~
不是吧
MOS的是 ε(SiO2) = 11.5 ε0
至於BJT......抱歉我跟她不是很熟Orz
去看Sze吧
或者其他固态电子学、固态物理的书吧
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.135.83.97
1F：→ motogod:二氧化矽的介电常数应该是3.9没错吧 01/09 00:31
2F：推 cj6gji:我朋友跟我说 和 高频的频率响应有关~可是也没跟我说清楚 01/09 00:57
3F：推 deathcustom:那大概是我记错了吧@@a 01/09 01:14