※ 引述《[email protected] (明天心情好)》之铭言： : ※ 引述《[email protected] (^^)》之铭言： : > 好像在探讨 : > coupling R , C : 信号的短路 当积体电路的积集度增加时，使得晶片的表面无法提供足够的面积来制作所需的 内连线(Interconnects)，因此，为了配合元件缩小後所增加的内连线，多层金属 导体连线的设计，便成为极大型积体电路技术所必需采用的方式。然而，随着金属 导线层数目不断的增加，电子讯号在金属连线间传送的时间延迟（RC time delay，即电阻值(R)与电容值(C)的乘积值），将成为影响元件操作速度、单位面积 容量大小、良率高低、与可靠度(reliability)优劣的最主要因素。在0.25微米的元 件尺寸大小时，50﹪的元件速度延迟，来自於由内连线所造成的时间延迟，且此速度 延迟将随元件尺寸的缩小而增加。为了降低讯号传递的时间延迟与其相互间的讯号干 扰(crosstalk)、及降低功率损耗，除了降低金属导线的阻值 （如使用金属铜，其电阻率为1.7mW-cm）， 另一方面，便是使用低介电常数的材料，以降低寄生的电容值。 --

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