※ 引述《MachiQ (麻吉Q)》之铭言： : 各位前辈们好 : 关於butadiene的MO : http://ppt.cc/K7UB : 利用Huckel's rule : 可以近似出四个能阶 : 但其中的轨域系数该怎麽算? : 我以为每个partition应该会一样 每一个 MO 不会一样，这跟结面多寡有关 但是总和会一样，因为你是由四个相同的 p 轨域去混成 : 有点难以想像 : 我翻了一下silbey的物化和miessler的无机只提到能阶的近似法 近似法就够用了，没必要算得很准确 : 另外有个题目要我证明terminal的 C-C bond 比 central的 C-C bond 还要强 : 我想应该是由bond order下手 错，因为共轭双键要摆在一起考虑，你不能分开来看 bond order : 但仍不知该如何处理 : 我的问题有点大 : 麻烦前辈们指引个方向即可 : 因为我是非本科系自修的没有人可以问 : 还请各位多包涵 : 谢谢 (我本来想说画图好麻烦，可是後来看到你附的图就放心了..) butadiene 有四个 pi 电子，所以依照你附的 MO 图， 电子只会填满下面两个能量比较低的 MO， 然後你看看 terminal 及 central的 C-C bond .. terminal 的 C-C bond 在两个轨域中都是同样符号的 p 轨域相连 central 的 C-C bond 在第二个 MO 里中间有个结面，那里的电子密度为 0 所以总合起来 central 的 C-C bond 比较弱，也符合有机结构式里头尾双键的图像。 如果你还是不放心，就去算那两个 MO 的 probability integral 把那些系数乘一乘就会更清楚，不过我是觉得没必要花这时间 ... --

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