作者Johnson1005 (Johnson)
看板ChemEng
标题[制程] 小弟最近在研究FinFET制程中Poly的profil
时间Tue Aug 29 18:43:10 2023
小弟最近在研究FinFET制程中Poly的profile
想问各位大大我的认知是不是正确的：
示意图中poly的gate height位子 会作成上宽下窄是为了在poly remove好把poly 掏乾净
及好填work function metal填的好；
而在poly fin top 到poly fin bottom中Fin bottom的poly做的宽是为了降DIBL
如示意图：
https://i.imgur.com/tRZMWLa.jpg
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