作者q11010 (耳朵)
看板ChemEng
标题[材料] 旋涂遇到困难
时间Mon Oct 31 01:52:27 2016
小弟最近要接手前人没空处理的case
是关於旋涂的难题
我们的机台
在涂布高分子薄膜後
wafer背面很容易产生晶背污染(从平边口开始 沿着最外圈约1mm)
由於位置和方向都固定 判定是边缘堆积+非对称分布造成旋涂时渗到背面
想请问在
1. 不能变更药剂(超想换的..这只跟胶水没两样)
2. 不能变更wafer形状(就圆形wafer+切边)
以及
3.根据前人笔记
一般参数调整 像高转 初转 加速 时间类的大致都试过了
也试过简单的改机(像拉高碗公 升降chuck类)
还有什麽方向是能够尝试的呢
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1F：→ q11010: 备注 因制程需求不能执行背洗 一定要在涂 223.137.85.207 10/31 01:59
2F：→ q11010: 时一次到位 223.137.85.207 10/31 01:59
3F：推 ken313j: 把背面贴满胶带 涂怖完再撕掉 不知道可 114.34.195.65 10/31 16:23
4F：→ ken313j: 不可以 之前涂玻璃试片的时候是这样做的 114.34.195.65 10/31 16:23
5F：→ ken313j: 可是我弄的玻璃试片是直径两公分 wafer这 114.34.195.65 10/31 16:24
6F：→ ken313j: 麽大不知道行不行 114.34.195.65 10/31 16:24
7F：推 shy723: 不能洗晶背, 可以试试晶面edge洗边 36.235.247.219 11/01 23:37
8F：→ shy723: 这样晶背edge也是会洗到一些 36.235.247.219 11/01 23:38
9F：→ q11010: 背面不能贴胶带 洗边的话研究一下@@111.251.200.243 11/02 01:53
10F：→ fongn: 背面贴可剥胶 有热去胶 UV去胶两款 49.213.128.64 12/06 10:57