作者chenyppl (瞎养达人)
看板ChemEng
标题Re: [问题] 关於缓冲层
时间Sat Jul 11 13:34:27 2009
GaN 直接成长在sapphire上时
因为晶格常数差异过大,所以不容易长的好
先成长一层低温GaN,
因为晶格常数 ,热膨胀系数刚好都可以藉於两者之间,
所以可以减缓因晶格常数及材料差异所造成的晶格缺陷
其实Buffer layer 在thin film领域是一个很常见的手法
在CVD成膜中,更是一个很重要的技术,尤其是heterogenous的材料
如果想要多了解GaN的缓冲层多找找blue LED 的文献应该是会有介绍的
※ 引述《narutoo (RORO)》之铭言：
: 请问一下
: 像氮化镓低温缓冲层的作用机制和原理是什麽
: 实在找不到有关其原理的相关资料~~
: 谢谢
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