作者kyz (冬天好容易饿)
看板ChemEng
标题Re: [问题] 发光二极体
时间Mon Apr 13 22:04:26 2009
※ 引述《davincil (Unipersonality)》之铭言：
: ※ [本文转录自 Wanted 看板]
: 作者: davincil (Unipersonality) 看板: Wanted
: 标题: [问题] 发光二极体
: 时间: Mon Apr 13 16:59:58 2009
: 我想请问是有人知道led磊晶片，我的疑问是在於
: 为什麽要硒化锌(ZnSe)基板上生长硒化锌的磊晶层，这个做法有什麽好处?
: 我查了很久都没什麽进展，希望板上有人能好心告诉我 <(_ _)>
: 我非常需要的知道，感激不尽
来说一下最近上课学到的内容好了
虽然他举的例子是以矽为主 但是半导体应该差不多的原理
就矽半导体来说 会先经由CZ法或悬浮带区法
CZ法虽然可以得到纯度高达99.9999999%
但是还是会有C O原子的污染存在(从反应器中的石墨坩埚与SiO2坩埚而来)
利用磊晶生长於基板上面有两好处(CVD生长；化学气相沉积)_
1.可以得到更高的纯度 避免掉其他原子的污染
2.使的参杂(Doping)的As.P.B等原子浓度更均匀
就第二点来说因为是使用CVD法反应 不像Fick's Law会有浓度梯度的问题
其整体参杂浓度与距离图(concentration profile)为一垂直线 非一曲线
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查了很久 找不到生长硒化锌基板的制程为何种制程
但是使用磊晶的目的都是一样的
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.249.43
1F：推 PDADDY:石墨不是坩埚 是隔热材 氧是从石英坩埚的coating来的 而不 04/14 21:31
2F：→ PDADDY:是直接从坩埚来 不过氧含量过高通常是气氛出问题 04/14 21:31