※ 引述《andy70289 (疯狂的电脑使用者)》之铭言： : 想请问固态的半导体材料测完UV之後 : 要如何求得该半导体的Energy gap ？ : 是直接作一条切线看对到多少的波长 : 还是要做另外的换算呢？ : 希望懂的人能不吝赐教 : 小弟完全没概念阿....... 正确的说应该是 UV-vis DRS (Diffuse Reflectance Spectra) 由光能量公式(Eg = hc/λ)，再带入固态材料之最大吸收波长 Eg: Band gap energy (eV) h: Planck’s constant (6.6256 x 10^-34 J．s) c: Light velocity (2.9989 x 10^8 m/s) λ: Wavelength (nm) 1eV = 1.6 x 10^-19 J 上述参数带入後可得一简易公式 Eg(eV) = 1240/λ 其中λ单位为(nm) 而最大吸收波长就如j大说的一样 就是在光谱的edge取切线然後与底部基线的交点 从图谱上可以很明显观察到一显着降低的斜线 http://0rz.tw/FPs9V 一般单一固态半导体材料(未进行材料改质等步骤)之图谱都会是这类的 最大吸收波长就是由那斜线一直延伸再与底部座标(波长)相交即可得 再将其值带入上述公式就能得到该材料之Eg(eV) 这方法原本也是学长教的 不过後来有在几篇paper上看到此方法的叙述才比较安心 但是如果是有经过材料改质等步骤 有时候常常图谱就会变得很难看 所以基准也会很难抓，有时候看到paper上面的图也是起起伏伏的 而作者此时就会说其Band gap的值大概为某一个范围，而非一固定值 如果再有疑问就去博硕士论文网(好用阿~~~) 去找几篇相关的论文，里面一定多少都会提到一些你所需要的资讯 再不然找篇paper拿起笔画看看，再带入公式算看看 顺便检查作者有没有写错 XD -- 生命就该浪费在美好的事物上 --

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