作者cellowu (cellowu)
看板ChemEng
标题Re: [请问]氢氟酸与矽
时间Thu Nov 6 21:44:46 2008
※ 引述《PDADDY (All Eyez On Me)》之铭言：
: ※ 引述《cellowu (cellowu)》之铭言：
: : ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
: : 一般的的wafer 之氧化层会呈疏水性,要先吃过HF他会先变亲水性(这时还是氧化层)
: : 最後再变回疏水性(无氧化层)
: 这个部份我觉得怪怪的
: 所谓一般wafer的氧化层是指native oxide(1)
: 还是指PECVD覆盖上去的氧化层(2)
: 还是通氧气在高温之下 silicon wafer表面形成的氧化层呢?(3)
: 因为不论是市售的wafer或是实验室自己生长切片後的wafer
: 在1或是3的状况之下 都是呈现亲水性
: 经过HF清洗之後呈现疏水性
: 但是在经过化学抛光之後
: 1和3都是呈现疏水性
: 也就是说经过抛光手续之後
: 不论是natice oxide或是通氧生成的oxide
: 都是呈现疏水性质的
(1)放在大气中氧化的wafer
(2)PECVD 用TEOS 长的oxide
(3)市售的SiO2
(2,3)都是水蓝色的
这个在未吃过HF 前碰到水时都是疏水性,只是他的水珠稍为大颗一点
但一吃过HF会先马上变亲水性,再变疏水性
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※ 编辑: cellowu 来自: 140.118.160.104 (11/06 21:49)