http://web1.nsc.gov.tw/newwp.aspx?act=Detail&id=402881d039e4827a0139fbac366f00a0&ctunit=31&CtNode=42&mp=1 国科会工程处推动「深耕工业基础技术专案计画」，主要目的是鼓励公私立大专院校 与企业共同成立「基础技术研发中心」，针对本专案选定之制造业中具共通性、高技 术挑战、高预期经济影响力之工业基础技术，结合学术界及企业界不同的丰富资源长 期投入，以提升我国工业基础技术能力与产品精致度。 技术领域涵盖四大项目：1.材料化工领域、2.机械领域、3.电子电机、4.软体领域， 本年度徵求之技术项目请参照附件。 ... (七)计画经费：每件计画每年申请金额以新台币2,000万元为限。 ========================================================================= 有人能说明这个国科会计划对学校的主要要求是甚麽吗? 教育部好像也有一个推动 基础技术研发产学合作中心的计划. 原来做云端相关计划的年轻助理教授提到他们已进行的整合型计划将受到影响. 若是要求产学合作, 整个做法与要求会是甚麽? 原先个人以为这应该是李家同大师推动的 5年100亿 工业基础技术计画的延伸. 李大师直接关切经济部的关键技术发展後, 据各项新闻报导, 每年大约定了十个项 目, 每年每个项目是2亿每年十项就是20亿. 个人以为这些计划主要就是工研院与 中科院养这些专门技术专家与实验室的维持费. 这些钱本来是在经济部科专计划之 下一直持续编列的. 国科会现在的这个整合计划是每个2000万元, 十个项目就是2 亿. 可能就是如同以前的产官学研计划, 分配给学研的部份最多只占1/10. 目前看 起来是其中的1/10经费改由学术界自己的预算配合执行, 之所以跑到国科会工程处 之下, 应该是配合将来的科技部预算编列. 国科会现下的整合型计划因为被要求要 加强产学互动, 难免担心又被分走了一批钱, 在学界不清楚实况下, 就听到某些因 不透明引发的声音. 这些项目除了第十项里的两个分项是最近才有的, 其余很多都是很早就有, 印象中, 这些关键技术从以前就持续留下来的. 像 "8.高阶量测仪器基础技术" 在 199X 的时候就是请求中科院协助民间的示波器 制造商企图进入高阶的100MHZ实测示波器, 後来技术指标总要每年提高, 就演变成 做抽样式的重覆取样合成反覆波的高速波形示波器. 其中的高速A/D技术本就有军事 用途, 因此这项目持续维持也少有人反对. 但执行实况常与宣称的目标是不符的. 最早号称要辅导产业做高阶示波器, 但几十年下来, 好像这个仪表量测产业似乎很 难搞, 也没有看见大的突破, 出现大的仪器公司或有100MHZ示波器内销. 可是这类 基础关键技术常常是仪器设备都购置了, 人也找了来, 说没大突破不能一步到位, 但也是在步步逼进, 总不能半途而废吧? 所以就变成持续养人(工研院, 中科院)维 持, 要问责就很难问下去, 若学校去配合研究那就得靠神来之笔进行突破. 否则以 此两大单位养那麽多人那麽多设备, 那麽久都没大突破, 要学校加入是要扮那个角 色? 以下是国科会的项目, 学校可做甚麽? 该怎麽做? 恳请有识者解惑! 年轻教授关切的是第四领域, 第10项技术里的计划, 据称 2, 3 子项是今年新增的. ========================================================================= 2.国科会「深耕工业基础技术专案计画」-研究项目之四大领域(附件).pdf 深耕工业基础技术—研究技术领域 一、材料化工领域 1.高效率分离纯化与混合分散基础技术 (1) Solvent-based： - 复合分离塔器(热、薄膜或反应整合)：节能效率提升 - 高效能塔器动态模拟与设计：工程设计裕度 (2) Water-based： - 微奈米孔膜操控与材料设计：离子脱除率、SS 分离率 - 滤材复合加工技术及模组系统化 (3) Inorganic-based： - 电子级耐火金属电子束冶金精炼技术：纯度 - 稀土化合物火法还原纯化技术：纯度、回收率 (4) 异质高分子奈米混合分散技术： - 多相高分子复材验证载具：分散相尺寸、N-Izod、ABS/PC 之HDT - 异质高分子奈米混合分散技术 (5) 机能性粉体混合分散技术： - 金属导电微粒分散液验证载具：金属微粒含量粒径、阻值 - 机能性粉体混合分散技术 (6) 金属／陶瓷混合分散技术： - 异质混成金属陶瓷粉体粒径：膜层孔隙率、涂膜耐崩溃电压 - 金属／陶瓷混合分散技术 2.高性能纤维与纺织基础技术 (1)纤维微结构控制： - 碳纤维之石墨结晶顺向性 - 动态环境性质显像技术： Elongation rate - 晶层分布显像技术：空间分析尺寸 (2)粉体分散形态控制： - 机能粉体二次凝聚颗粒尺寸 - 母粒滤压值；熔融纺丝 (3)高分子序列分布控制： - 序列混乱度；立体规则度 (4)耐高温高分子设计及合成技术： - 耐热膜材料高温强力保持率 (5)耐高温薄膜成型与贴合研制技术-双轴延伸成膜控制技术： - 双轴延伸倍率、膜双轴延伸拉伸强度 - 膜厚 (6)高张力结构膜设计开发技术： - 异常环境负荷应力/应变评估技术 3.高效率显示与照明基础技术 (1)高温/高压或常压固态合成技术： 高温高压合成平台技术，氮氧化物/氮化物萤光粉及玻璃陶瓷萤光粉之合成技术：放射 波长玻璃陶磁萤光粉合成技术(Glass-ceramic phosphor)：耐温特性 (2)光学活性分子/共轭分子设计模拟： 液晶与OLED 材料用之新型高纯度光学活性分子与共轭分子材料合成：Chiral purity、 OrganicAssay、共轭分子材料 (3)光学级微粒子分散聚合与粒子筛分技术： 光学级元件模组导通用单一粒径合成与分级技术 百公斤级均一粒径导通用粒子合成技术：粒径均一度 二、机械领域 4.全电化都会运输系统基础技术 (1)大功率电动车辆用马达与驱控系统之电、磁、机模拟分析技术与热管理技术，及其 测试验证及诊断技术 (2)核心元件自主化及材料高质化： - 马达与驱动器系统性能整合之耦合技术 - 散热分析与热管理技术：减少散热系统耗能与体积 - 马达与驱控系统振噪/热传测试与诊断技术 - 高导热性马达材料技术：热传导率K 值 - 功率晶体(power IC)：崩溃电压、电流、解角器(resolver) 5.高阶制造系统基础技术 (1)精密机械平台基础技术 精密工具机所需之次微米进给系统技术，次秒级旋转轴技术，Virtual Machine 模拟软 体技术，气，液静压轴承与模组技术，空间精度量测补偿技术，智慧化定位精度预测技 术，静动态结构分析技术，材料与精度寿命资料库等相关技术： (1)精密气静压主轴：刚性、回转精度 (2)模组化液静压平面轴承：刚性、导轨直度、直线进给系统定位精度 (3)液静压旋转工作台：刚性、回转精度 (4)高速主轴转速：回转精度 (5)气静压线性进给平台：行程、荷重、直度、Pitch/Raw/Yaw、双轴定位精度预测指标 (6)Virtual Machine 整机模拟分析与模态分析 (2)精密加工基础技术 -以切削基础物理研究及系统化加工制程参数研究，建立各种切削加工时之刀具、参数及 机台性能指标之最佳技术选用准则： -开发制程技术/切削应用研究： (1)加工精度 (2)工件表面粗糙度 (3)工件厚度 -制造设备材料精度稳定性技术： (1)百公斤级铸件组织均一性铸造方案设计准则：抗拉强度σ (2)模具钢微量磨削加工表层特性制程技术：模板平坦度 6.半导体制程设备基础技术 开发高品质、大尺寸、高均匀度及波长均一化之国产化MOCVD 设备： - 高品质大尺寸、高均匀度、高温制程之宽能隙化合物半导体(GaN)材料基础技术 - 超高温回火设备：加热速度、制程均匀度 - 高品质宽能隙化合物半导体制程开发及磊晶技术：磊晶均匀度、磊晶层基面差排 三、电子电机与软体领域 7.通讯系统基础技术 (1)通讯系统与协定软体技术： - 无线接取技术：频谱效能(peak spectral efficiency) - 通讯协定软体技术： - 通讯协定资料处理技术：处理资料量能力 - 通讯协定核心软体架构与嵌入式组件技术：支援RRC/RLC/MAC 层软体架构开发 - Protocol Framework 开发平台软体技术：具备virtual PHY 及多用户资料传输能力， (2)基频辅助射频前端技术： - 射频前端接收机技术：杂讯指数(NF) - 类比与基频接收机技术：灵敏度 (3)天线技术： - MIMO 天线整合技术：支援多个WWAN/WLAN频带，多根天线，Minimum Antenna Efficiency (all bands) 8.高阶量测仪器基础技术 (1)宽频(>=2GHz)，高速(>= 10GS/s) 之高阶量测仪器系统 (2)关键类比前端电路： - 宽频高速类比数位转换器(ADC) - 高速THA (Track and Hold Amplifier) - 高速、低抖动时脉信号产生器(PLL 及DLL)电路 - 宽频类比前端VGA 电路(Gain range) (3)高速数位讯号处理及软体辅助校正技术： - 协同系统之数位校正技术(含类比前端(AFE)之可靠度与精确度等的提昇) (4)探棒技术及周边技术： - 宽频主动式高阻抗探棒技术(封装、结构、PCB 技术) - 低杂讯宽频前端IC设计技术 9.高阶医疗器材基础技术 超音波医疗设备所需之高频类比生理讯号处理技术、可携式超音波ASIC： - 高频都卜勒检测系统发射载波之宽频接收端讯号处理模组、多通道低杂讯前置类比 电路模组、低功耗类比电路模组、高讯号资料传输频率 - 可携式超音波ASIC 系统整合与测试 - 大NA镜头、高速扫瞄技术 四、软体领域 10.高阶绘图与视讯软体技术 (1)绘图与视讯技术： -通过OpenGL ES 1.X, 2.X, OpenVG 1.0,1.1 相容性测试 -支援Anti-Aliasing；支援JSR-226, JSR-287,JSR-184, JSR-297, JSR-239 - Pixel效能；Geometry效能 - Shader Authoring 工具(开发环境、Compiler、Library) - OpenGL ES 1.X, 2.X 模拟环境(含效能分析与最佳化工具) (2)虚拟化伺服器系统容错技术： - 在非X86 伺服器上完整支援处理器虚拟化、记忆体虚拟化及输出/入控制界面虚拟化之虚拟机 器服务技术 - 支援记忆体内容去重覆及压缩之虚拟化记忆体管理技术 - 导入虚拟化技术後相对於原本直接运作在实体机器上的效能损耗 - 虚拟主机容错转移而导致的暂时中断服务等候时间 - 执行中的应用程式，因容错转移而感受到的回应延迟 (3)分散式资料库技术： - 符合ANSI-SQL：2800 标准 - 可支持超过30 Nodes - 系统规格： Maximum Database Size Maximum Table Size Maximum Row Size Maximum Field Size Maximum Rows per Table 谢谢说明. 以往的经济部科专计划是将经济部下的一个相关大案切成法人科专, 业界科专及学界科专, 但都由法人来统筹, 由法人找业界先期参与缴纳一部份配合款, 再由法人的执行计划者回 校找教授参与(这部份给学界的经费比例都很低, 项目都是到法人服国防役的学长找学弟 把教授实验室的研发成果连人与半成品带到法人继续做), 所以这种形式给学校的相当於 委托研究. 这种形式的计划跟国科会与业界都没有关系. 在以往, 国科会也有业界与学界的产学合作计划, 通常是业界号称支付1/3~1/2的总经 费, 但学界出面配合从国科会拿下大钱, 常有的做法是有1/2以上的总经费是实质向业 界采购设备或人员服务, 这是常被质疑的变相采购的产学合作计划. 帐面的产学合作 权利收入很可观, 但实况很难说, 这些原是法人的表面招式, 也漫延到国科会来. 表 面上业界不愿做(国防品通常不是量产的东西), 若肯协助采购或配合做就是在投资配 合. 但若采购项目是一般可得的平常供应项目, 那就是过海绝招了. 李家同大师推动的 5年100亿 工业基础技术计画, 应该不是这种用意才是! 这些都是立法院逼技转比例所闹出来的 "数字挪移创造大法"的後遗症. 严格说 工业基础关键技术计划 应该是类似大陆国防科工委 指派的攻关计划才是. 就不会让一个示波器计划做了快20年都没有公司生产. 谢谢您的消息. 经济部的学界科专没钱了, 所以跟 工业基础技术 有关的学界委托案就改挂到国科 会计划之下进行, 这应该是最可能的情况, 所以会排挤原来国科会的整合型计划. 这个顾虑是没错的. 但若要挤进这种跟工研院中科院一向内定的学界合作研发又要 怎麽个弄法? 谢谢您的热心协助. 人才供应的技术端应该是教育部与国科会, 7月行政院定案,8月有另一份顶大22次会议 记录, 教育部是把这项计划对受教育部5Y500E,典范教学补助的大学分工, 就原经费派 下去并列出负责召集的学校. 国科会应是如您说的另增(或内部调整)2亿来进行. 比较特别的是国科会计划含有教学实作课程. =========================================================================== 国科会深耕工业基础技术专案计画 徵求计画书公告 (一) 背景与目的 国科会工程处推动「深耕工业基础技术专案计画」，主要目的是鼓励公私立大专院校 与企业共同成立「基础技术研发中心」，针对本专案选定之制造业中具共通性、高技 术挑战、高预期经济影响力之工业基础技术，结合学术界及企业界不同的丰富资源长 期投入，以提升我国工业基础技术能力与产品精致度。 (二) 研究涵盖项目 技术领域涵盖四大项目：1.材料化工领域、2.机械领域、3.电子电机、4.软体领域， 本年度徵求之技术项目请参照附件。 (三)申请机构(即执行机构)：公私立大专院校。 (四)计画主持人及共同主持人之资格：系指符合本会补助专题研究计画作业要点第 三点规定者。 (五)计画类型：以整合型计画形式提出。 (六)计画内容： 1. 拟研发之技术必须为本会徵求之技术项目。 2. 拟研发之技术必须与执行单位既有之技术发展方向相符。请详述申请单位目前 已掌握该技术之现况，并说明如何藉由本计画之执行，提升该项技术水准。 3. 本计画须规划以学期为单位，开设与计画相关之技术训练实作课程，以培养基 础技术实作人才。 4. 企业必须参与基础研发中心之建立与维运。请说明企业拟投入之资源(包括：经 费、设备、业师或其他等)、投入之时程及方式。企业投入经费得以研究配合款、 奖学金、奖助金、技术竞赛奖金等方式为之。企业投入之比例系计画评审及考 核时之重要指标。 5. 学校应提供基础技术研发中心必要之支援。请说明预定提供之措施，包括：经 费、场域、课程、活动或其他等。 (七)计画经费：每件计画每年申请金额以新台币2,000 万元为限。 ※ 编辑: ggg12345 来自: 140.115.4.153 (10/11 08:40)