作者joehsu831212 (op Joe)
看板NEMS
标题BOE会蚀刻Si3N4吗？
时间Mon Sep 9 18:35:12 2019
请问各位，BOE（BHF）在室温下会蚀刻利用pecvd镀出来的Si3N4吗？
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1F：推 boson5566: 会 泡够久会全部蚀刻掉 泡很短时间会蚀刻不完全 09/09 22:19
2F：→ boson5566: 表面看起来烂烂的 SiO2, Si3N4都类似 09/09 22:19
3F：推 cupidboy: 会 而且速度很快 09/11 18:31
4F：推 xa380x: ......我就说会啊 09/11 23:55
5F：→ joehsu831212: 我看有些资料写室温下1nm/1min啊…… 09/19 12:14
6F：推 sunchloveann: 理论上品质好的话是不会被蚀刻掉 通常识破洞 09/24 00:56
7F：推 sunchloveann: 造成BOE渗到氮化矽跟矽的介面而造成peeling 09/24 00:56
8F：推 jerrychu1211: PECVD的SiNx具有多孔性(较松散),故BOE易渗漏peeling 05/23 02:30
9F：→ jerrychu1211: 而LPCVD的SiNx较致密,通常还是以热磷酸去除 05/23 02:31