作者ynlin1996 (.)
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標題[新聞] SK海力士HBM2E DRAM高頻寬記憶體,預計20
時間Wed Aug 14 21:06:01 2019
SK海力士HBM2E DRAM高頻寬記憶體,預計2020年量產
http://bit.ly/2H62cCp
SK海力士(SK Hynix) 於2019年8月12日宣布,已開發出HBM2E DRAM,這是一種高頻寬記憶體(high-bandwidth memory semiconductor),可用於人工智慧(AI)裝置和超級電腦(supercomputers)。
SK Hynix表示,該款新晶片超過每秒460 GB,基於每個引腳(pin)的每秒3.6Gb性能和1,024個數據I / O,這比該公司一年前開發的HBM2 DRAM高出50%。
該晶片製造採用“穿矽通孔”(TSV:through-silicon via)技術以垂直堆疊8個16 Gb晶片,並封裝出16 GB記憶存儲器。SK海力士預計於2020年開始批量生產新HBM2E DRAM晶片。
新的HBM2E DRAM晶片產品主要應用於需要高速、高性能的記憶存儲器,例如:圖形處理卡、超級電腦、AI半導體及伺服器。
SK海力士2019年第二季的DRAM銷售額為42.6億美元,佔全球市場的28.7%。
根據維基百科,高頻寬記憶體(High Bandwidth Memory,HBM)是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊製程的高效能DRAM,適用於高記憶體頻寬需求的應用,像是圖形處理器、網路交換及轉發裝置(如路由器、交換器)等。第一代高頻寬記憶體2013年10月正式被JEDEC採納為業界標準。第二代高頻寬記憶體(HBM2)於2016年1月被JEDEC採納。例如,NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了第二代高頻寬記憶體。
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