作者me8z7gnk (SONG-SONG)
看板Examination
標題[課業] 電子學body effect跟短通道效應的問題
時間Thu Jul 30 13:17:42 2020
Body effect: 在body施加比S極更低的電壓 空乏區往通道延伸
空乏區變大 使閥值電壓(Vt)變大
short channel effect:在D極施加高電壓 D極的空乏區變大
通道變短 使閥值電壓(Vt)變小
疑問是:兩者空乏區都會變大 通道變短
一個使Vt變高 一個使Vt變低
問一下差別在哪 希望高手解惑謝謝
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.76.174.76 (臺灣)
※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Examination/M.1596086264.A.AAD.html
1F：推 a22222a4210: 一個是基板不是接地電位 一個是通道因為電壓變大空乏 07/30 13:58
2F：→ a22222a4210: 區擴增使電子通道長度變短 07/30 13:59
3F：→ a22222a4210: 阿看錯了 短通道是因為通道尺寸變小所以空乏區的佔比 07/30 14:02
4F：→ a22222a4210: 相較長通道大 所以會明顯影響Vt 07/30 14:03
5F：→ a22222a4210: 簡單來說Body effect跟通道尺寸無關 短通道效應在通 07/30 14:04
6F：→ a22222a4210: 道很小的時候才會比較明顯影響 詳細的還是去看書吧 07/30 14:04
7F：→ a22222a4210: Neamen的書寫的算白話也有中譯版了 07/30 14:06
8F：→ me8z7gnk: 謝謝a大 我會再去看書 不過body effect會使空乏區變大 07/31 00:31
9F：→ me8z7gnk: 應該也會影響通道長度才對 這點還是不懂 07/31 00:32
10F：推 liushengzhe: 大概的講法是： 07/31 08:06
11F：→ liushengzhe: 閘極不只要先能建立空乏區，而且要能控制與它下方整 07/31 08:06
12F：→ liushengzhe: 個空乏區電荷量相等的電荷，通道然後才能夠建立，因 07/31 08:06
13F：→ liushengzhe: 此BE越嚴重，Vt值就越大。 07/31 08:06
14F：→ liushengzhe: 當汲極電壓夠大，汲極控制的空乏區就會深入閘極下方 07/31 08:06
15F：→ liushengzhe: 跟閘極爭搶MOS的控制。此時元件長度若太短，閘極電 07/31 08:06
16F：→ liushengzhe: 壓將無法完全控制MOS的關閉，而汲極空乏區夠大，甚 07/31 08:06
17F：→ liushengzhe: 至延伸至源極空乏區，還導致DIBL，此時無需閘極，橫 07/31 08:06
18F：→ liushengzhe: 向電場就足以讓汲極直接從源極吸引載子造成漏電流， 07/31 08:06
19F：→ liushengzhe: 這就相當於是Vt值下降。 07/31 08:06
20F：→ me8z7gnk: 謝謝L大 講法很合理 07/31 23:54