SK海力士HBM2E DRAM高频宽记忆体，预计2020年量产 http://bit.ly/2H62cCp SK海力士(SK Hynix) 於2019年8月12日宣布，已开发出HBM2E DRAM，这是一种高频宽记忆体(high-bandwidth memory semiconductor)，可用於人工智慧（AI）装置和超级电脑(supercomputers)。 SK Hynix表示，该款新晶片超过每秒460 GB，基於每个引脚(pin)的每秒3.6Gb性能和1,024个数据I / O，这比该公司一年前开发的HBM2 DRAM高出50％。 该晶片制造采用“穿矽通孔”（TSV：through-silicon via）技术以垂直堆叠8个16 Gb晶片，并封装出16 GB记忆存储器。SK海力士预计於2020年开始批量生产新HBM2E DRAM晶片。 新的HBM2E DRAM晶片产品主要应用於需要高速、高性能的记忆存储器，例如：图形处理卡、超级电脑、AI半导体及伺服器。 SK海力士2019年第二季的DRAM销售额为42.6亿美元，占全球市场的28.7％。 根据维基百科，高频宽记忆体（High Bandwidth Memory，HBM）是三星电子、超微半导体和SK海力士发起的一种基於3D堆叠制程的高效能DRAM，适用於高记忆体频宽需求的应用，像是图形处理器、网路交换及转发装置（如路由器、交换器）等。第一代高频宽记忆体2013年10月正式被JEDEC采纳为业界标准。第二代高频宽记忆体（HBM2）於2016年1月被JEDEC采纳。例如，NVIDIA在该年发表的新款旗舰型Tesla运算加速卡Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也采用了第二代高频宽记忆体。 --

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